UNIVEX 鍍膜製程
UNIVEX 薄膜沉積製程
UNIVEX 是用於生產功能性物理氣相沉積鍍膜的多功能鍍膜系統。
薄膜的特性取決於用來製作薄膜的製程技術。不同的製程參數會影響薄膜的行為。在我們的 UNIVEX 系統中，可以應用各種鍍膜方法及一系列的基材處理。Leybold 鍍膜系統以模組化設計為基礎，可滿足客戶的特定需求。
UNIVEX 不同的鍍膜製程
- 熱蒸鍍
- 電子束蒸鍍
- 有機蒸鍍
- 濺鍍
- DC 濺鍍
- RF 濺鍍
- 反應式濺鍍
- 脈衝 DC 濺鍍
- 離子源
- 離子輔助沉積
- 製程進氣口
- 薄膜厚度測量
熱蒸鍍
熱蒸鍍或電阻蒸鍍是最成熟的薄膜沉積方法。此技術用於高真空腔室，例如我們的 UNIVEX 系統。單一熱蒸鍍機由兩個藉由舟型或絲型源所連接的水冷式電流饋通所組成。材料將放入源中，由於通電，溫度會上升至材料蒸發為止。
我們的標準熱蒸鍍套件有單、雙或雙獨立配置，適用於單沉積或共沉積。
多種材料均可透過熱蒸鍍技術進行沉積，例如金、銀、鋁銅及許多其他材料。
電子束蒸鍍
電子束蒸鍍是另一種成熟的蒸鍍技術，用於高真空環境。要蒸鍍的材料會置於銅坩堝內。
鎢絲產生通電的電子束，由磁場偏轉至坩堝的口袋中。這種電子束的能量施加到材料上，然後蒸發或昇華。
電子束槍可以有多種配置。提供不同容量的單口袋或多口袋坩堝。
各種電源允許蒸發具有高熔點的材料 (例如鉬)，甚至可以實作具有高沉積速率的製程。
離子輔助沉積
在沉積製程中，材料會以通量、游離電位和特定溫度到達基材表面。這些因素對沉積膜的密度、純度和結晶度有巨大的影響。
使用離子源，可以透過高能離子對氣相材料和薄膜施加額外的能量。
這會影響薄膜特性，例如黏著性、成分、內部薄膜應力和結晶度。
其他 UNIVEX 鍍膜製程
- 基材處理
- 基材旋轉
- 基材加熱
- 基材冷卻
- 基材偏壓
- 行星齒輪式驅動
- 高度可調性
- 基材傾斜
- 斜向沉積
- 漸層遮板
- 冷阱
- 負載腔體
基材處理
為了在沉積製程中改善或改變薄膜特性，可以應用各種基材處理和操作方法。
基材旋轉
旋轉可用於改善整個基材表面的薄膜均勻性。我們針對單個或多個基材 (包括行星齒輪式驅動) 提供多種可能的解決方案。
與其他基材操作功能的典型組合為：
- 加熱、冷卻
- RF /DC 偏壓
- 高度可調性 (源至基材)
- 傾斜
- 斜向沉積 (GLAD)
- 漸層遮板
基材冷卻
在沉積期間，需要冷卻熱敏感基材或遮罩。我們提供可以水冷、液氮冷卻或與特殊冷卻液一起使用的基材架。
基材偏壓
RF 或 DC 偏壓所支援的沉積可改善薄膜的黏合性質與化學計量。我們為此提供合適的基材架和電源供應器。
高度可調性 (源至基材)
源至基材的距離是不同應用的重大因素。對薄膜特性會產生重要影響。增加源至基材的距離會影響基材上的入射角。材料通量和基材表面之間的直角可最佳化薄膜特性。
視應用而定，提供不同的模組化元件選擇。
基材傾斜
傾斜基材用於不同的應用中。Leybold 提供可手動亦可自動傾斜的基材台。
斜向沉積
在沉積期間傾斜基材，可在基材上創造有趣的結構 / 圖樣 (3D)。這種技術稱為斜向沉積 (GLAD)。
基材旋轉、傾斜、加熱和冷卻都是可能的事。此技術可搭配熱蒸鍍機、電子束蒸鍍機或濺鍍源使用。
漸層遮板
運用我們的漸層遮板架，可建立具有不同厚度與材料特性的多個樣品。
負載腔體
傳送鎖定腔是將基板插入高真空系統的一種非常快速的方法。 每個基材傳送鎖定腔室都有自己的抽氣系統，並透過閘閥連接到製程腔。
在基材搬送鎖定室內可以儲放並傳送一個或多個基板至製程腔裡。 製程腔僅需回壓來傳入基材清潔。 在各個真空室之間傳輸基板，通常使用馬達驅動的機械手臂或線性傳輸驅動單元。
製程完成後，傳送機器手臂將基板傳回到在搬送鎖定室中原來的位置。 當新的基材已經在鍍膜製程進行中，它可以被移出甚至暫存在真空環境中。
搬送鎖定室的優點是縮短製程時間，同時避免製程模組被大氣汙染。無論何種類型或尺寸，都可以在任何 UNIVEX 系統上加裝負載腔體室。
