กระบวนการเคลือบ UNIVEX
กระบวนการเคลือบผิวแบบชั้นบาง UNIVEX
UNIVEX เป็นระบบเคลือบผิวเลนส์อเนกประสงค์สําหรับการผลิตสารเคลือบผิวเลนส์แบบสะสมด้วยไอทางกายภาพที่ใช้งานได้จริง
คุณสมบัติของฟิล์มบางๆ ขึ้นอยู่กับเทคโนโลยีกระบวนการที่ใช้ในการผลิต พารามิเตอร์กระบวนการที่แตกต่างกันมีอิทธิพลต่อพฤติกรรมของฟิล์มบาง ในระบบ UNIVEX ของเรา สามารถใช้วิธีการเคลือบผิวที่หลากหลาย รวมถึงการปรับสภาพพื้นผิวที่หลากหลาย ระบบเคลือบผิวของ Leybold ของเรามีพื้นฐานมาจากการออกแบบแบบแยกชิ้น ซึ่งมอบความเป็นไปได้ในการตระหนักถึงความต้องการเฉพาะของลูกค้า
ความแปรผันของกระบวนการเคลือบ UNIVEX
- การระเหยด้วยความร้อน
- การระเหยของลําแสงอิเล็กตรอน
- การระเหยสารอินทรีย์
- การฉีดพ่น
- การสปัตเตอร์ DC
- การสปัตเตอร์ RF
- การสปัตเตอร์แบบรีแอคทีฟ
- การสปัตเตอร์ DC แบบพัลส์
- แหล่งกําเนิดไอออน
- การสะสมด้วยไอออน
- ทางเข้าก๊าซในกระบวนการ
- การวัดความหนาของฟิล์ม
การระเหยด้วยความร้อน
การระเหยด้วยความร้อน
การระเหยด้วยความร้อนหรือการระเหยแบบต้านทานเป็นวิธีการที่ได้รับการยอมรับมากที่สุดในการสะสมฟิล์มบางๆ เทคนิคนี้ใช้ในห้องสุญญากาศระดับสูง เช่น ระบบ UNIVEX ของเรา เครื่องระเหยความร้อนแบบเดี่ยวประกอบด้วยท่อป้อนกระแสไฟฟ้าที่ระบายความร้อนด้วยน้ําสองท่อที่เชื่อมต่อโดยแหล่งกําเนิด เช่น เรือหรือเส้นใย วัสดุจะถูกวางลงในแหล่งกําเนิด เนื่องจากมีการจ่ายพลังงาน อุณหภูมิจะเพิ่มขึ้นจนกว่าวัสดุจะระเหย
แพ็คเกจการระเหยด้วยความร้อนมาตรฐานของเรามาในรูปแบบเดี่ยว คู่ หรือคู่แบบอิสระ เหมาะสําหรับการสะสมแบบเดี่ยวหรือแบบร่วม
วัสดุหลากหลายชนิดสามารถสะสมด้วยเทคโนโลยีการระเหยด้วยความร้อน เช่น ทอง เงิน อะลูมิเนียม ทองแดง และอื่นๆ อีกมากมาย
การระเหยของลําแสงอิเล็กตรอน
การระเหยของลําแสงอิเล็กตรอน
การระเหยด้วยลําแสงอิเล็กตรอนเป็นเทคโนโลยีการระเหยที่ได้รับการยอมรับเป็นอย่างดีอีกอย่างหนึ่งที่ใช้ในสภาพแวดล้อมสุญญากาศสูง วัสดุที่จะระเหยจะอยู่ภายในถ้วยทองแดง
ลําแสงอิเล็กตรอนที่ได้รับพลังงานจะถูกสร้างขึ้นจากเส้นใยทังสเตนและถูกเบี่ยงเบนโดยสนามแม่เหล็กเข้าไปในช่องในถ้วยใส่ตัวอย่าง พลังงานของลําแสงอิเล็กตรอนนี้จะถูกนําไปใช้กับวัสดุ ซึ่งจากนั้นจะระเหยหรือระเหิด
ปืนฉีดลําแสงอิเล็กตรอนสามารถกําหนดค่าได้หลายรูปแบบ มีถ้วยใส่ตัวอย่างแบบช่องเดียวหรือหลายช่องที่มีพิกัดการชั่งที่แตกต่างกัน
แหล่งจ่ายไฟที่หลากหลายช่วยให้การระเหยของวัสดุที่มีจุดหลอมเหลวสูง (เช่น Mo) หรือแม้แต่กระบวนการที่มีอัตราการสะสมสูง
การระเหยสารอินทรีย์
การระเหยสารอินทรีย์
เครื่องระเหยสารอินทรีย์ยังเรียกว่าเซลล์ Knudsen เป็นเครื่องระเหยแบบฟลักซ์ฟิวชั่นสําหรับการระเหยวัสดุที่มีแรงดันบางส่วนต่ํา ซึ่งต้องการการควบคุมอุณหภูมิที่แม่นยํา เพื่อให้เกิดฟิล์มบางที่ทํางานได้
วัสดุจะถูกใส่ลงในถ้วยใส่ตัวอย่างที่สามารถทําจากควอตซ์หรือเซรามิก เป็นต้น การให้ความร้อนด้วยไฟฟ้าใช้เพื่อทําให้วัสดุร้อนขึ้นจนกระทั่งระเหย สําหรับการควบคุมอุณหภูมิ เครื่องระเหยมีเทอร์โมคัปเปิลในตัว แหล่งกําเนิดชนิดนี้เหมาะอย่างยิ่งสําหรับการระเหยของสารอินทรีย์
การฉีดพ่น
การฉีดพ่น
การสปัตเตอร์ด้วยแมกนีตรอนเป็นวิธีที่มีประโยชน์และมีประสิทธิภาพสูงในการสะสมวัสดุที่ระเหยยากหรือซับซ้อนลงบนพื้นผิวต่างๆ
Leybold ใช้แมกนีตรอนทรงกระบอกหรือสี่เหลี่ยมผืนผ้าสเตนเลสสตีลคุณภาพสูงในระบบสปัตเตอร์สะสมของเรา เราขอแนะนําวาล์วควบคุมความดันแบบลิ้นปีกผีเสื้อควบคู่กับเกจไดอะแฟรมเซรามิกที่มีความแม่นยําสูงของเราสําหรับการควบคุมความดันสปัตเตอร์และกระบวนการที่ทําซ้ําได้
การสปัตเตอร์ RF
การสปัตเตอร์ RF
การสปัตเตอร์ด้วยคลื่นความถี่วิทยุ (RF) มีประโยชน์เป็นพิเศษสําหรับการสปัตเตอร์วัสดุที่ไม่นําไฟฟ้าหรือเซรามิก เช่น ออกไซด์หรือซัลไฟด์ นอกจากนี้ยังสามารถใช้กับวัสดุนําไฟฟ้าได้ แต่มีอัตราการสะสมต่ํากว่าวัสดุที่สปัตเตอร์ด้วยไฟฟ้ากระแสตรง
บ่อยครั้งที่สปัตเตอร์ RF ถูกนํามาใช้สําหรับการเติมสารแบบตื้นในระหว่างการสปัตเตอร์ร่วมด้วยกระบวนการ DC ที่อัตราสูงขึ้น
การสปัตเตอร์แบบรีแอคทีฟ
การสปัตเตอร์แบบรีแอคทีฟ
การสปัตเตอร์ DC แบบพัลส์
การสปัตเตอร์ DC แบบพัลส์
การสปัตเตอร์แบบกระแสตรงแบบพัลส์ (PDC) ใช้ในกระบวนการสปัตเตอร์แบบรีแอคทีฟที่สร้างฟิล์มฉนวน การเป็นพิษของเป้าหมายโลหะโดยก๊าซปฏิกิริยาอาจเกิดขึ้น ซึ่งนําไปสู่การเกิดประกายไฟและการสูญเสียความเสถียรของพลาสมา
Pulsed DC ใช้การผกผันแรงดันไฟฟ้ากระแสสลับด้วยพัลส์ความถี่สูงเพื่อส่งและรักษากําลังสัมพัทธ์ที่สูงขึ้นไปยังเป้าหมาย การทําความสะอาดการสะสมของฉนวนบนพื้นผิวเป้าหมายจะนําไปสู่อัตราการสะสมที่สูงขึ้นและกระบวนการที่สม่ําเสมอมากขึ้น
แหล่งจ่ายไฟ PDC โดยทั่วไปจะมีการระงับประกายไฟแบบ "แอคทีฟ" ซึ่งสามารถเพิ่มพัลส์ย้อนกลับเพิ่มเติมในกรณีที่ตรวจพบประกายไฟ
การสะสมด้วยไอออน
การสะสมด้วยไอออน
ในกระบวนการสะสม วัสดุจะมาถึงพื้นผิวของซับสเตรตโดยมีฟลักซ์ ศักย์การเกิดไอออน และอุณหภูมิที่เฉพาะเจาะจง ปัจจัยเหล่านี้มีผลกระทบอย่างมากต่อความหนาแน่น ความบริสุทธิ์ และความเป็นผลึกของฟิล์มที่สะสม
การใช้แหล่งกําเนิดไอออน สามารถนําพลังงานเพิ่มเติมไปใช้กับวัสดุในสถานะก๊าซและฟิล์มบางๆ ผ่านไอออนที่มีพลังงาน
ซึ่งส่งผลต่อคุณสมบัติของฟิล์ม เช่น การยึดเกาะ องค์ประกอบ ความเค้นของฟิล์มภายใน และความเป็นผลึก
การวัดความหนาของฟิล์ม
การวัดความหนาของฟิล์ม
สามารถติดตั้งเครื่องมือวัดความหนาของฟิล์มบางต่างๆ ในหน่วย UNIVEX การเลือกจะขึ้นอยู่กับการตรวจวัดที่ต้องการและระดับของระบบอัตโนมัติที่ต้องการ ตามมาตรฐาน จะใช้ระบบคริสตัลแบบสั่น
ซึ่งอาจประกอบด้วยหัวเซ็นเซอร์หนึ่งหัวหรือหลายหัวที่มีหรือไม่มีชัตเตอร์ หัวเซ็นเซอร์จะถูกขับเคลื่อนโดยจอมอนิเตอร์หรือตัวควบคุม (อัตราการวัด/การควบคุมและความหนา)
การระเหยด้วยความร้อน
การระเหยด้วยความร้อนหรือการระเหยแบบต้านทานเป็นวิธีการที่ได้รับการยอมรับมากที่สุดในการสะสมฟิล์มบางๆ เทคนิคนี้ใช้ในห้องสุญญากาศระดับสูง เช่น ระบบ UNIVEX ของเรา เครื่องระเหยความร้อนแบบเดี่ยวประกอบด้วยท่อป้อนกระแสไฟฟ้าที่ระบายความร้อนด้วยน้ําสองท่อที่เชื่อมต่อโดยแหล่งกําเนิด เช่น เรือหรือเส้นใย วัสดุจะถูกวางลงในแหล่งกําเนิด เนื่องจากมีการจ่ายพลังงาน อุณหภูมิจะเพิ่มขึ้นจนกว่าวัสดุจะระเหย
แพ็คเกจการระเหยด้วยความร้อนมาตรฐานของเรามาในรูปแบบเดี่ยว คู่ หรือคู่แบบอิสระ เหมาะสําหรับการสะสมแบบเดี่ยวหรือแบบร่วม
วัสดุหลากหลายชนิดสามารถสะสมด้วยเทคโนโลยีการระเหยด้วยความร้อน เช่น ทอง เงิน อะลูมิเนียม ทองแดง และอื่นๆ อีกมากมาย
การระเหยของลําแสงอิเล็กตรอน
การระเหยด้วยลําแสงอิเล็กตรอนเป็นเทคโนโลยีการระเหยที่ได้รับการยอมรับเป็นอย่างดีอีกอย่างหนึ่งที่ใช้ในสภาพแวดล้อมสุญญากาศสูง วัสดุที่จะระเหยจะอยู่ภายในถ้วยทองแดง
ลําแสงอิเล็กตรอนที่ได้รับพลังงานจะถูกสร้างขึ้นจากเส้นใยทังสเตนและถูกเบี่ยงเบนโดยสนามแม่เหล็กเข้าไปในช่องในถ้วยใส่ตัวอย่าง พลังงานของลําแสงอิเล็กตรอนนี้จะถูกนําไปใช้กับวัสดุ ซึ่งจากนั้นจะระเหยหรือระเหิด
ปืนฉีดลําแสงอิเล็กตรอนสามารถกําหนดค่าได้หลายรูปแบบ มีถ้วยใส่ตัวอย่างแบบช่องเดียวหรือหลายช่องที่มีพิกัดการชั่งที่แตกต่างกัน
แหล่งจ่ายไฟที่หลากหลายช่วยให้การระเหยของวัสดุที่มีจุดหลอมเหลวสูง (เช่น Mo) หรือแม้แต่กระบวนการที่มีอัตราการสะสมสูง
การระเหยสารอินทรีย์
เครื่องระเหยสารอินทรีย์ยังเรียกว่าเซลล์ Knudsen เป็นเครื่องระเหยแบบฟลักซ์ฟิวชั่นสําหรับการระเหยวัสดุที่มีแรงดันบางส่วนต่ํา ซึ่งต้องการการควบคุมอุณหภูมิที่แม่นยํา เพื่อให้เกิดฟิล์มบางที่ทํางานได้
วัสดุจะถูกใส่ลงในถ้วยใส่ตัวอย่างที่สามารถทําจากควอตซ์หรือเซรามิก เป็นต้น การให้ความร้อนด้วยไฟฟ้าใช้เพื่อทําให้วัสดุร้อนขึ้นจนกระทั่งระเหย สําหรับการควบคุมอุณหภูมิ เครื่องระเหยมีเทอร์โมคัปเปิลในตัว แหล่งกําเนิดชนิดนี้เหมาะอย่างยิ่งสําหรับการระเหยของสารอินทรีย์
การฉีดพ่น
การสปัตเตอร์ด้วยแมกนีตรอนเป็นวิธีที่มีประโยชน์และมีประสิทธิภาพสูงในการสะสมวัสดุที่ระเหยยากหรือซับซ้อนลงบนพื้นผิวต่างๆ
Leybold ใช้แมกนีตรอนทรงกระบอกหรือสี่เหลี่ยมผืนผ้าสเตนเลสสตีลคุณภาพสูงในระบบสปัตเตอร์สะสมของเรา เราขอแนะนําวาล์วควบคุมความดันแบบลิ้นปีกผีเสื้อควบคู่กับเกจไดอะแฟรมเซรามิกที่มีความแม่นยําสูงของเราสําหรับการควบคุมความดันสปัตเตอร์และกระบวนการที่ทําซ้ําได้
การสปัตเตอร์ RF
การสปัตเตอร์ด้วยคลื่นความถี่วิทยุ (RF) มีประโยชน์เป็นพิเศษสําหรับการสปัตเตอร์วัสดุที่ไม่นําไฟฟ้าหรือเซรามิก เช่น ออกไซด์หรือซัลไฟด์ นอกจากนี้ยังสามารถใช้กับวัสดุนําไฟฟ้าได้ แต่มีอัตราการสะสมต่ํากว่าวัสดุที่สปัตเตอร์ด้วยไฟฟ้ากระแสตรง
บ่อยครั้งที่สปัตเตอร์ RF ถูกนํามาใช้สําหรับการเติมสารแบบตื้นในระหว่างการสปัตเตอร์ร่วมด้วยกระบวนการ DC ที่อัตราสูงขึ้น
การสปัตเตอร์แบบรีแอคทีฟ
การสปัตเตอร์ DC แบบพัลส์
การสปัตเตอร์แบบกระแสตรงแบบพัลส์ (PDC) ใช้ในกระบวนการสปัตเตอร์แบบรีแอคทีฟที่สร้างฟิล์มฉนวน การเป็นพิษของเป้าหมายโลหะโดยก๊าซปฏิกิริยาอาจเกิดขึ้น ซึ่งนําไปสู่การเกิดประกายไฟและการสูญเสียความเสถียรของพลาสมา
Pulsed DC ใช้การผกผันแรงดันไฟฟ้ากระแสสลับด้วยพัลส์ความถี่สูงเพื่อส่งและรักษากําลังสัมพัทธ์ที่สูงขึ้นไปยังเป้าหมาย การทําความสะอาดการสะสมของฉนวนบนพื้นผิวเป้าหมายจะนําไปสู่อัตราการสะสมที่สูงขึ้นและกระบวนการที่สม่ําเสมอมากขึ้น
แหล่งจ่ายไฟ PDC โดยทั่วไปจะมีการระงับประกายไฟแบบ "แอคทีฟ" ซึ่งสามารถเพิ่มพัลส์ย้อนกลับเพิ่มเติมในกรณีที่ตรวจพบประกายไฟ
การสะสมด้วยไอออน
ในกระบวนการสะสม วัสดุจะมาถึงพื้นผิวของซับสเตรตโดยมีฟลักซ์ ศักย์การเกิดไอออน และอุณหภูมิที่เฉพาะเจาะจง ปัจจัยเหล่านี้มีผลกระทบอย่างมากต่อความหนาแน่น ความบริสุทธิ์ และความเป็นผลึกของฟิล์มที่สะสม
การใช้แหล่งกําเนิดไอออน สามารถนําพลังงานเพิ่มเติมไปใช้กับวัสดุในสถานะก๊าซและฟิล์มบางๆ ผ่านไอออนที่มีพลังงาน
ซึ่งส่งผลต่อคุณสมบัติของฟิล์ม เช่น การยึดเกาะ องค์ประกอบ ความเค้นของฟิล์มภายใน และความเป็นผลึก
การวัดความหนาของฟิล์ม
สามารถติดตั้งเครื่องมือวัดความหนาของฟิล์มบางต่างๆ ในหน่วย UNIVEX การเลือกจะขึ้นอยู่กับการตรวจวัดที่ต้องการและระดับของระบบอัตโนมัติที่ต้องการ ตามมาตรฐาน จะใช้ระบบคริสตัลแบบสั่น
ซึ่งอาจประกอบด้วยหัวเซ็นเซอร์หนึ่งหัวหรือหลายหัวที่มีหรือไม่มีชัตเตอร์ หัวเซ็นเซอร์จะถูกขับเคลื่อนโดยจอมอนิเตอร์หรือตัวควบคุม (อัตราการวัด/การควบคุมและความหนา)
กระบวนการเคลือบ UNIVEX เพิ่มเติม
- การประมวลผลข้อมูล
- การหมุนของวัสดุ
- การทําความร้อนพื้นผิว
- การระบายความร้อน
- การเบี่ยงเบน
- ชุดขับเคลื่อนแบบแพลนเนตตารี่
- การปรับระดับความสูง
- การเอียงพื้นผิว
- การสะสมของมุมการมองเห็น
- ประตูชัตเตอร์
- ตัวดักความเย็น
- ล็อคโหลด
การประมวลผลข้อมูล
การประมวลผลข้อมูล
เพื่อปรับปรุงหรือเปลี่ยนแปลงคุณสมบัติของฟิล์มในระหว่างกระบวนการสะสม สามารถใช้วิธีการต่างๆ ในการปรับสภาพและการจัดการซับสเตรตได้
การหมุนของวัสดุ
การหมุนของวัสดุ
การหมุนใช้เพื่อปรับปรุงความสม่ําเสมอของฟิล์มบางบนพื้นผิวซับสเตรต เรานําเสนอโซลูชันที่หลากหลายสําหรับพื้นผิวเดี่ยวหรือหลายพื้นผิว รวมถึงระบบขับเคลื่อนแบบดาวเคราะห์
การผสมผสานโดยทั่วไปกับคุณสมบัติการจัดการซับสเตรตอื่น ๆ ได้แก่:
- เครื่องทําความร้อน
- อคติ RF/DC
- ความสามารถในการปรับความสูง (แหล่งกําเนิดไปยังซับสเตรต)
- การเอียง
- การสะสมของมุมการแวววาว (GLAD)
- ประตูชัตเตอร์
การระบายความร้อน
การระบายความร้อน
พื้นผิวหรือหน้ากากที่ไวต่อความร้อนจําเป็นต้องมีการระบายความร้อนในระหว่างการสะสม เรานําเสนอตัวยึดซับสเตรตที่สามารถระบายความร้อนด้วยน้ํา ระบายความร้อนด้วย LN2 หรือใช้กับของเหลวหล่อเย็นพิเศษ
การเบี่ยงเบน
การเบี่ยงเบน
การสะสมที่รองรับด้วยการเบี่ยงเบน RF หรือ DC ช่วยปรับปรุงคุณสมบัติการยึดเกาะและสัมพันธ์ของฟิล์มบาง มีตัวยึดซับสเตรตและแหล่งจ่ายไฟที่เหมาะสมสําหรับจุดประสงค์นี้
ชุดขับเคลื่อนแบบแพลนเนตตารี่
ชุดขับเคลื่อนแบบแพลนเนตตารี่
ไดรฟ์แบบแพลนเนตตารี่ของเราได้รับการออกแบบมาสําหรับพื้นผิวและข้อกําหนดในกระบวนการเฉพาะของลูกค้า
จังหวะซับสเตรตหลักมีแกนหมุนตรงกลาง รอบแกนนี้จะมีการจัดเรียงแพลนเนตที่หมุนได้หลายตัว ตําแหน่งที่แน่นอนของดาวเคราะห์จะแตกต่างกันเสมอเมื่อหมุนบนแกนกลาง การจัดเรียงดาวเคราะห์นี้ช่วยปรับปรุงความสม่ําเสมอของฟิล์ม
การปรับระดับความสูง
ความสามารถในการปรับความสูง (แหล่งกําเนิดไปยังซับสเตรต)
ระยะห่างระหว่างแหล่งกําเนิดและซับสเตรตเป็นปัจจัยสําคัญสําหรับการใช้งานที่แตกต่างกัน ซึ่งมีผลกระทบที่สําคัญต่อคุณสมบัติของฟิล์มบาง การเพิ่มระยะห่างจากแหล่งกําเนิดไปยังซับสเตรตมีอิทธิพลต่อมุมที่โผล่เข้าบนซับสเตรต มุมขวาระหว่างการไหลของวัสดุและพื้นผิวของซับสเตรตจะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพคุณสมบัติของฟิล์มบาง
มีส่วนประกอบแบบแยกชิ้นที่แตกต่างกันโดยขึ้นอยู่กับการใช้งาน
การเอียงพื้นผิว
การเอียงพื้นผิว
การเอียงซับสเตรตใช้สําหรับการใช้งานที่แตกต่างกัน Leybold สามารถจัดเตรียมขั้นตอนซับสเตรตที่สามารถเอียงได้ทั้งแบบแมนนวลและแบบอัตโนมัติ
การสะสมของมุมการมองเห็น
การสะสมของมุมการมองเห็น
การเอียงซับสเตรตระหว่างการสะสมสามารถสร้างโครงสร้าง/รูปแบบที่น่าสนใจ (3D) บนซับสเตรตได้ เทคนิคนี้เรียกว่า Glancing Angle Deposition (GLAD)
การหมุน การเอียง การทําความร้อน และการทําความเย็นของสารตั้งต้นเป็นไปได้ เทคนิคนี้สามารถใช้ได้กับเครื่องระเหยความร้อน เครื่องระเหยลําแสงอิเล็กตรอน หรือแหล่งสปัตเตอร์ เป็นต้น
ประตูชัตเตอร์
ประตูชัตเตอร์
ด้วยเวทีชัตเตอร์แบบไล่ระดับของเรา จึงสามารถสร้างตัวอย่างได้หลายตัวอย่างที่มีความหนาและคุณสมบัติของวัสดุที่แตกต่างกัน
ล็อคโหลด
ล็อคโหลด
ห้องล็อคเป็นวิธีการที่รวดเร็วมากสําหรับการใส่ซับสเตรตเข้าไปในระบบสุญญากาศสูง ห้องล็อคโหลดแต่ละห้องมีระบบปั๊มของตัวเองและเชื่อมต่อกับห้องกระบวนการผ่านวาล์วประตู
ภายในห้องล็อกโหลด สามารถจัดเก็บและขนส่งซับสเตรตหนึ่งชนิดหรือมากกว่านั้นภายในห้องกระบวนการได้ เพียงแค่ไล่อากาศออกจากห้องทํางานเพื่อเติมวัสดุหรือทําความสะอาด ใช้การขนส่งซับสเตรตระหว่างห้องสุญญากาศแต่ละห้อง แขนหุ่นยนต์ที่ขับเคลื่อนด้วยมอเตอร์หรือชุดขับเคลื่อนการถ่ายโอนเชิงเส้น
หลังจากกระบวนการเสร็จสิ้น แขนถ่ายโอนจะส่งซับสเตรตกลับไปยังตําแหน่งในห้องล็อคโหลด ซึ่งสามารถนําออกหรือแม้กระทั่งจัดเก็บภายใต้สภาพแวดล้อมสุญญากาศในขณะที่ซับสเตรตใหม่อยู่ในกระบวนการเคลือบอยู่แล้ว
ข้อได้เปรียบของระบบล็อกโหลดคือการลดเวลาในกระบวนการ ในขณะที่หลีกเลี่ยงการปนเปื้อนในบรรยากาศของโมดูลกระบวนการ สามารถเพิ่มห้องล็อกโหลดเข้ากับระบบ UNIVEX ได้ทุกประเภทและทุกขนาด
การประมวลผลข้อมูล
เพื่อปรับปรุงหรือเปลี่ยนแปลงคุณสมบัติของฟิล์มในระหว่างกระบวนการสะสม สามารถใช้วิธีการต่างๆ ในการปรับสภาพและการจัดการซับสเตรตได้
การหมุนของวัสดุ
การหมุนใช้เพื่อปรับปรุงความสม่ําเสมอของฟิล์มบางบนพื้นผิวซับสเตรต เรานําเสนอโซลูชันที่หลากหลายสําหรับพื้นผิวเดี่ยวหรือหลายพื้นผิว รวมถึงระบบขับเคลื่อนแบบดาวเคราะห์
การผสมผสานโดยทั่วไปกับคุณสมบัติการจัดการซับสเตรตอื่น ๆ ได้แก่:
- เครื่องทําความร้อน
- อคติ RF/DC
- ความสามารถในการปรับความสูง (แหล่งกําเนิดไปยังซับสเตรต)
- การเอียง
- การสะสมของมุมการแวววาว (GLAD)
- ประตูชัตเตอร์
การระบายความร้อน
พื้นผิวหรือหน้ากากที่ไวต่อความร้อนจําเป็นต้องมีการระบายความร้อนในระหว่างการสะสม เรานําเสนอตัวยึดซับสเตรตที่สามารถระบายความร้อนด้วยน้ํา ระบายความร้อนด้วย LN2 หรือใช้กับของเหลวหล่อเย็นพิเศษ
การเบี่ยงเบน
การสะสมที่รองรับด้วยการเบี่ยงเบน RF หรือ DC ช่วยปรับปรุงคุณสมบัติการยึดเกาะและสัมพันธ์ของฟิล์มบาง มีตัวยึดซับสเตรตและแหล่งจ่ายไฟที่เหมาะสมสําหรับจุดประสงค์นี้
ชุดขับเคลื่อนแบบแพลนเนตตารี่
ไดรฟ์แบบแพลนเนตตารี่ของเราได้รับการออกแบบมาสําหรับพื้นผิวและข้อกําหนดในกระบวนการเฉพาะของลูกค้า
จังหวะซับสเตรตหลักมีแกนหมุนตรงกลาง รอบแกนนี้จะมีการจัดเรียงแพลนเนตที่หมุนได้หลายตัว ตําแหน่งที่แน่นอนของดาวเคราะห์จะแตกต่างกันเสมอเมื่อหมุนบนแกนกลาง การจัดเรียงดาวเคราะห์นี้ช่วยปรับปรุงความสม่ําเสมอของฟิล์ม
ความสามารถในการปรับความสูง (แหล่งกําเนิดไปยังซับสเตรต)
ระยะห่างระหว่างแหล่งกําเนิดและซับสเตรตเป็นปัจจัยสําคัญสําหรับการใช้งานที่แตกต่างกัน ซึ่งมีผลกระทบที่สําคัญต่อคุณสมบัติของฟิล์มบาง การเพิ่มระยะห่างจากแหล่งกําเนิดไปยังซับสเตรตมีอิทธิพลต่อมุมที่โผล่เข้าบนซับสเตรต มุมขวาระหว่างการไหลของวัสดุและพื้นผิวของซับสเตรตจะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพคุณสมบัติของฟิล์มบาง
มีส่วนประกอบแบบแยกชิ้นที่แตกต่างกันโดยขึ้นอยู่กับการใช้งาน
การเอียงพื้นผิว
การเอียงซับสเตรตใช้สําหรับการใช้งานที่แตกต่างกัน Leybold สามารถจัดเตรียมขั้นตอนซับสเตรตที่สามารถเอียงได้ทั้งแบบแมนนวลและแบบอัตโนมัติ
การสะสมของมุมการมองเห็น
การเอียงซับสเตรตระหว่างการสะสมสามารถสร้างโครงสร้าง/รูปแบบที่น่าสนใจ (3D) บนซับสเตรตได้ เทคนิคนี้เรียกว่า Glancing Angle Deposition (GLAD)
การหมุน การเอียง การทําความร้อน และการทําความเย็นของสารตั้งต้นเป็นไปได้ เทคนิคนี้สามารถใช้ได้กับเครื่องระเหยความร้อน เครื่องระเหยลําแสงอิเล็กตรอน หรือแหล่งสปัตเตอร์ เป็นต้น
ประตูชัตเตอร์
ด้วยเวทีชัตเตอร์แบบไล่ระดับของเรา จึงสามารถสร้างตัวอย่างได้หลายตัวอย่างที่มีความหนาและคุณสมบัติของวัสดุที่แตกต่างกัน
ล็อคโหลด
ห้องล็อคเป็นวิธีการที่รวดเร็วมากสําหรับการใส่ซับสเตรตเข้าไปในระบบสุญญากาศสูง ห้องล็อคโหลดแต่ละห้องมีระบบปั๊มของตัวเองและเชื่อมต่อกับห้องกระบวนการผ่านวาล์วประตู
ภายในห้องล็อกโหลด สามารถจัดเก็บและขนส่งซับสเตรตหนึ่งชนิดหรือมากกว่านั้นภายในห้องกระบวนการได้ เพียงแค่ไล่อากาศออกจากห้องทํางานเพื่อเติมวัสดุหรือทําความสะอาด ใช้การขนส่งซับสเตรตระหว่างห้องสุญญากาศแต่ละห้อง แขนหุ่นยนต์ที่ขับเคลื่อนด้วยมอเตอร์หรือชุดขับเคลื่อนการถ่ายโอนเชิงเส้น
หลังจากกระบวนการเสร็จสิ้น แขนถ่ายโอนจะส่งซับสเตรตกลับไปยังตําแหน่งในห้องล็อคโหลด ซึ่งสามารถนําออกหรือแม้กระทั่งจัดเก็บภายใต้สภาพแวดล้อมสุญญากาศในขณะที่ซับสเตรตใหม่อยู่ในกระบวนการเคลือบอยู่แล้ว
ข้อได้เปรียบของระบบล็อกโหลดคือการลดเวลาในกระบวนการ ในขณะที่หลีกเลี่ยงการปนเปื้อนในบรรยากาศของโมดูลกระบวนการ สามารถเพิ่มห้องล็อกโหลดเข้ากับระบบ UNIVEX ได้ทุกประเภทและทุกขนาด
- ผลิตภัณฑ์
- ร้านค้าออนไลน์
- แอปพลิเคชั่น
- เอกสารประกอบ
