간접 압력 진공 게이지는 어떻게 작동합니까?
기체 의존적 압력 판독값이 있는 진공 게이지
이 유형의 진공 게이지는 영역 관련 힘으로서 압력을 직접 측정하지 않지만, 입자 수 밀도와 압력 관계에 비례하는 다른 물리적 변수를 통해 간접적으로 압력을 측정합니다. 기체 의존적 압력 판독값이 있는 진공 게이지에는 감소 게이지, 열 전도성 진공 게이지 및 여러 디자인의 이온화 진공 게이지가 있습니다.
계기는 실제 센서(게이지 헤드, 센서)와 이 센서를 작동하는 데 필요한 제어 장치로 구성되어 있습니다. 압력 척도 또는 디지털 디스플레이는 일반적으로 질소 압력을 기반으로 합니다. 기체(또는 증기)의 실제 압력 p T를 결정해야 하는 경우 표시된 압력 pi를 이 기체에 해당하는 계수로 곱해야 합니다. 이러한 계수는 계기 유형에 따라 다르며, 압력과 무관한 인자로 표 형식으로 제시되거나(표 3.2 참조), 압력에 좌우되는 경우에는 다이어그램을 토대로 결정해야 합니다(그림 3.11).
표 3.2 연결 계수
그림 3.11 질소 등가 판독값에 기반한 다양한 기체에 대한 THERMOVAC 게이지의 보정 곡선
일반적으로 다음 사항이 적용됩니다.
실제 압력 pT = 표시된 압력 pi · 교정 계수
압력이 "질소 척도"로 판독되지만 교정되지 않은 경우 이를 "질소 등가" 값이라 합니다.
모든 전기 진공 게이지(기체 유형에 의존적인 진공 게이지 포함)에서 컴퓨터의 사용 증가로 인해 화면에 직접 압력이 표시되기를 원하게 되었습니다(예: 공정 흐름도의 적절한 위치에 압력을 삽입). 가능한 최상의 표준화된 컴퓨터 인터페이스를 사용하려면 센서 및 디스플레이 장치(예: THERMOVAC 송신기, 페닝 송신기, IONIVAC 송신기 등) 대신 이른바 송신기(표준화된 전류 출력이 있는 신호 변환기)가 구축됩니다. 송신기에는 공급 전압(예: +24V)이 필요하고 4~20mA 또는 0~10V의 전체 측정 범위에서 선형적인 압력 의존적 전류 신호를 전달합니다. 이 신호를 컴퓨터에 공급하고 해당 소프트웨어를 통해 처리할 때까지 압력 판독값은 제공되지 않으며, 제공된 후에는 화면에 표시됩니다.
열 전도성 진공 게이지
일반적인 물리학에서는 정적 기체의 열 전도성이 p > 1mbar의 고압(입자 수 밀도)에서 압력과 무관하다는 실험적 확인을 제공합니다. 하지만 p < 1mbar의 저압에서는 열 전도성이 압력에 따라 달라집니다.
중진공 범위는 약 1mbar에서 압력에 비례하여 감소하고 고진공 범위에서 0에 도달합니다. 이 압력 의존성은 열 전도성 진공 게이지에 활용되고 이를 통해 중진공 범위에서 압력을 정밀하게 측정할 수 있습니다(기체 유형에 따라 다름).
가장 폭넓게 사용되는 측정 계기는 피라니 진공 게이지입니다. 반경이 r1인 전류 전달 필라멘트가 최대 약 100~150°C(212 ~ 302°F)까지 가열되면(그림 3.10) 복사와 열 전도를 통해 생성되는 열을 주변의 기체(와 필라멘트 단부의 지지대)로 방출합니다. 저진공 범위에서 기체 대류를 통한 열 전도는 사실상 압력과 무관합니다(그림 3.10 참조). 하지만 몇 mbar에서 기체의 평균자유행로가 필라멘트 직경과 동일한 크기인 경우, 이러한 열 전달 유형은 더 크게 감소하며, 그 결과 밀도와 압력에 따라 달라집니다. 10-3mbar 미만에서 평균자유행로는 측정 튜브의 반경 r 2의 크기와 거의 일치합니다. 게이지 헤드의 감지 필라멘트는 휘트스톤 브리지의 분지를 형성합니다.
3.10 기체 압력의 일정한 온도 차이가 있는 튜브(반경 r2)에서 가열된 필라멘트(반경 r1)에 의해 소멸되는 열의 양(계통도).
I 금속 단부에서 복사 및 전도로 인한 열 방출
II 기체로 인한 열 방출(압력에 따라 달라짐)
III 복사 및 대류로 인한 열 방출
현재 많이 사용되는 저항성이 일정한 THERMOVAC 열 전도성 게이지에서 감지 필라멘트가 휘트스톤 브리지의 분지이기도 합니다. 이 브리지에 적용되는 가열 전압은 저항과 그에 따라 필라멘트의 온도가 열 손실과 무관하게 일정하게 유지되도록 조절됩니다. 이로 인해 브리지는 항상 균형을 이루게 됩니다. 이 조절 모드에는 몇 밀리초의 시간 상수가 포함되어 있어 이러한 계기는 가변 저항이 있는 계기와 달리 압력 변화에 매우 빠르게 반응합니다. 브리지에 인가되는 전압은 압력의 측정치입니다. 측정 전압은 전체 측정 범위에서 대략적인 로그 척도를 획득하도록 전자적으로 교정됩니다. 일정한 저항의 열 전도성 진공 게이지는 측정 범위가 10-4~1013mbar입니다. 응답 시간이 매우 짧기 때문에 특히 제어 및 압력 모니터링 작업에 적합합니다. 가장 민감한 범위(예: 10-3~10mbar)에서는 압력 판독값의 약 15%에 해당합니다. 측정 불확실성은 이 범위를 훨씬 크게 벗어난 것입니다.
모든 진공 게이지는 기체 유형에 따라 달라지며, 열 전도성 진공 게이지의 경우 표시기와 디지털 표시기의 척도가 질소와 공기에도 적용됩니다. 오차 한도 내에서, O2, CO 및 기타 분자 질량이 유사한 기체의 압력을 직접 판독할 수 있습니다. 일련의 기체에 대한 교정 곡선은 그림 3.11에 나와 있습니다.
압력 측정에서 실제 압력 pT와 표시된 압력 pI 사이의 차이를 예로 들면, 습기를 방지하기 위해 압력 실린더에서 아르곤을 사용하여 진공 시스템에 공기를 주입하는 것입니다(펌핑 시간). 그림 3.11에 따르면 압력 측정 계기로서 THERMOVAC을 사용하여 "Ar 대기 압력" pT 도달 시 40mbar의 pI 판독값을 얻을 수 있습니다. 아르곤은 용기에서 빠져나올 수 있습니다(덮개가 열리고 종형 용기가 올라감). 이와 유사한 작업의 경우 기체 유형과 무관하게 압력 스위치 또는 진공 게이지를 사용해야 합니다.
이온화 진공 게이지
이온화 진공 게이지는 고진공 및 초고진공 범위에서 기체 압력을 측정하는 데 있어 가장 중요한 계기입니다. 압력에 비례하는 입자 수 밀도에 따라 압력을 측정합니다. 압력을 측정할 기체는 계기의 게이지 헤드로 들어가고 전기장의 도움을 받아 부분적으로 이온화됩니다. 전기장에서 전자가 가속되고 기체 분자와 충돌 시 양이온을 형성하기에 충분한 에너지를 얻을 때 이온화가 발생합니다. 이러한 이온은 전하를 시스템의 측정 전극(이온 수집기)으로 전달합니다. 이러한 방식으로 생성되는 이온 전류(또는 더 정밀하게, 이러한 이온을 중화하는 데 필요한 측정 전극의 공급 라인에서의 전자 전류)는 이온 수율이 입자 수 밀도와 비례하므로 압력을 측정한 값입니다.
이온의 형성은 높은 전기장 강도의 방전으로 인한 결과입니다(냉음극은 페닝/역마그네트론 배출의 포괄적 용어, 직접 압력 측정 참조). 또는 열음극에서 방출되는 전자의 영향(베이어드-알퍼트/추출기/삼극관의 포괄적 용어)입니다(직접 압력 측정 참조).
다른 일정한 조건 하에서 이온 수율과 이온 전류는 다른 기체에 비해 이온화가 더 쉽기 때문에 기체 유형에 따라 달라집니다. 기체 유형에 따라 압력 판독값이 달라지는 모든 진공 게이지로서, 이온화 진공 게이지는 질소를 기준 기체로 교정합니다(질소 등가 압력, 직접 압력 측정 참조). 질소 이외의 기체에 대한 실제 압력을 얻으려면, 판독 압력은 해당 기체에 대해 표 3.2에 제시된 교정 계수를 곱해야 합니다. 표 3.2에 명시된 계수는 압력과 무관한 것으로 가정되지만 전극 시스템의 기하학적 구조에 다소 의존합니다. 따라서 다양한 유형의 이온화 진공 게이지에 대한 평균값으로 간주됩니다(그림 3.16 참조).
냉음극 이온화 진공 게이지
냉방전으로 작동하는 이온화 진공 게이지를 냉음극 또는 페닝/역마그네트론 진공 게이지라고 합니다. 측정 튜브의 방전 과정은 원칙적으로 스퍼터 이온 펌프의 전극 시스템과 동일합니다. 모든 유형의 냉음극 이온화 진공 게이지는 2개의 비가열 전극인 음극 및 양극만 포함하고 있다는 것입니다. 이 사이에 직류 전압(약 2kV)을 통해 소위 냉방전이 시작 및 유지되므로 방전이 매우 낮은 압력에서 계속됩니다. 이는 자기장을 사용하여 전자의 경로를 충분히 길게 만들어 기체 분자와 충돌하는 속도가 충분히 커서 방전을 유지하는 데 필요한 전하 운반체의 수를 형성하도록 함으로써 이루어집니다. 자기장(그림 3.12)은 힘의 자기장 선이 전기장 선을 교차하도록 배열됩니다. 이를 통해 전자는 나선형 경로로 제한됩니다. 충돌로 인해 발생하는 양전하 및 음전하 운반자가 해당 전극으로 이동하고 압력 의존성 방전 전류를 형성하며, 이 전류는 계량기에 표시됩니다. 판독값(mbar)은 기체 유형에 따라 다릅니다. 측정 범위의 상한은 10-2mbar 이상에서 냉음극 방전이 (일정한 전압에서) 전류가 흐르는 강한 광 출력의 글로우 방출로 변하며 이 전류가 압력에 따라 작은 범위로 달라지기 때문에 측정 목적으로 적합하지 않다는 사실을 통해 제공됩니다. 모든 냉음극 게이지에는 열음극으로 작동하는 이온화 진공 게이지보다 기체 흡착이 훨씬 높습니다. 냉음극 측정 튜브는 스퍼터 이온 펌프와 유사하게 기체를 펌핑합니다(S ≈ 10-2l/s). 여기에서 방전에서 생성된 이온이 음극으로 가속되어 부분적으로 유지되고 부분적으로 음극 물질의 스퍼터링을 일으킵니다. 스퍼터링 음극 물질은 게이지 튜브의 벽에 게터링 표면 막을 형성합니다. 이러한 단점에도 불구하고 압력 판독에서 상대적으로 높은 수준의 부정확성을 초래하는(최대 50%), 냉음극 이온화 게이지는 세 가지의 매우 뛰어난 장점을 가지고 있습니다. 첫째, 모든 고진공 측정 계기 중에서 가격이 가장 저렴합니다. 둘째, 측정 시스템이 갑작스러운 공기 유입 및 진동에 민감하지 않습니다. 셋째, 계기를 작동하기 쉽습니다.
그림 3.12 PENNINGVAC PR25 게이지의 단면
- 소형 플랜지 DN 25KF, DN 40KF
- 하우징
- 링 양극(점화 핀 포함)
- 세라믹 와셔
- 전류 리드스루
- 연결 부시
- 양극 핀
- 음극 플레이트
열음극 이온화 진공 게이지
일반적으로 이러한 게이지는 음극이 열음극인 3개의 전극(음극, 양극 및 이온 수집기)으로 구성된 측정 시스템을 나타냅니다. 텅스텐으로 제작되었지만 현재는 산화물 코팅 이리듐(Th2O3, Y2O3)으로 제작되어 전자 출력 작업을 줄이고 산소에 대한 저항성을 높입니다. 이 유형의 이온화 진공 게이지는 외부 자기장이 없는 낮은 전압에서 작동합니다. 열음극은 매우 수율이 매우 높은 전자원입니다. 전자는 전기장에서 가속되고 전극 시스템이 위치한 기체를 이온화하기에 충분한 에너지를 받습니다. 형성된 양기체 이온은 음극에 대해 음 상태인 이온 수집기로 운반되어 전하를 공급합니다. 이에 따라 생성되는 이온 전류는 기체 밀도와 그에 따른 기체 압력의 측정치입니다. i-가 양음극에서 방출되는 전자 전류인 경우 측정 시스템에서 생성되는 압력 비례식 전류 i+는 다음 방법으로 정의됩니다.
(3.3)
(3.3a)
변수 C는 측정 시스템의 진공 게이지 상수입니다. 질소의 경우 이 변수는 일반적으로 약 10mbar-1입니다. 일정한 전자 전류에서 게이지 헤드의 감도 S가 이온 전류와 압력의 지수로 정의됩니다. 따라서 1mA 및 C = 10mbar-1의 전자 전류의 경우 게이지 헤드의 감도 S는 다음과 같습니다.
열음극 이온화 진공 게이지에는 기체 흡착(펌핑 작용)이 나타나지만, 냉음극 시스템보다 상당히 작습니다(예: 약 10-3l/s). 기본적으로 이 기체 흡착은 게이지 헤드의 유리 벽에서 발생하고, 이온 수집기에서 작은 규모로 발생합니다. 이 경우 외부 자석이 필요하지 않기 때문에 작동이 용이한 누드 게이지로 제작됩니다. 열음극 이온화 게이지의 측정 범위 상한은 약 10-2mbar(특수 설계 제외)입니다. 이는 기본적으로 더 높은 압력에서 자유행로가 짧기 때문에(이온이 더 이상 이온 수집기에 도달하지 않음 = 더 낮은 이온 수율) 기체 분자에서 이온의 분산 공정에 의해 정의됩니다. 또한 제어 불가능한 글로우 또는 아크 방전이 높은 압력에서 형성될 수 있고 유리 튜브에서는 정전기 방전이 발생할 수 있습니다. 이 경우 표시된 압력 pi는 실제 압력 pT와 상당히 다를 수 있습니다.
저압에서 측정 범위는 X선 효과 및 이온 탈착 효과에 의해 제한됩니다. 이러한 효과로 인해 압력과 이온 전류 사이의 엄격한 비례성을 상실하며 교차될 수 없는 낮은 압력 임계값을 생성합니다(그림 3.14).
그림 3.14 정상적인 이온화 진공 게이지에서 X선 효과로 인한 가시적 저압 한도.
I - X선 효과가 없는 압력 판독값
II - X선 효과로 인한 가시적 저압 한도
III - I과 II의 합계
X선 효과(그림 3.15)
그림 3.15 기존 이온화 게이지의 X선 효과 설명. 음극 C에 의해 방출되는 전자 e-는 양극 A와 충돌하고 부드러운 연질 X선 방사(광자)를 발생시킵니다. 이 방사선은 부분적으로 이온 수집기와 광전자 e–s를 생성합니다.
C - 음극
A - 양극
I - 이온 수집기
음극에서 방출된 전자는 양극에 영향을 미쳐 광자(연질 X선)를 방출합니다. 이러한 광자는 다시 부딪힌 표면에서 광전자를 유발합니다. 이온 수집기에서 방출된 광전자는 양극으로 흐릅니다. 즉, 이온 수집기는 이온 수집기로 흐르는 양의 이온 전류와 동일한 방식으로 표시됩니다. 이 광전류는 압력을 시뮬레이션합니다. 이러한 효과를 양의 X선 효과라고 하며, 이는 이온 수집기의 표면 크기와 양극 전압에 따라 달라집니다.
하지만 특정 상황에서는 음의 X선 효과가 발생합니다. 게이지 헤드 주변의 벽에 영향을 미치는 광자는 여기에서 광전자를 방출하고, 이 광전자는 다시 양극 쪽으로 흐르게 되며, 양극은 그리드 구조이므로 양극 내의 공간으로 흐르게 됩니다. 주변의 벽이 이온 수집기와 같은 전위를 갖는 경우(예: 접지 전위) 벽에서 방출되는 전자의 일부가 이온 수집기에 도달할 수 있습니다. 이로 인해 이온 수집기로 전자 전류가 흐르게 됩니다. 즉, 양의 이온 전류를 보상할 수 있는 음의 전류가 흐릅니다. 이러한 X선 효과는 게이지 헤드의 외벽 전위에 따라 달라집니다.
이온 탈착 효과
흡수된 기체는 전자 충격으로 표면에서 탈착될 수 있습니다. 이온화 게이지에서 이는 양극에 흡수된 기체 층이 있는 경우 이러한 기체는 부분적으로 충격을 주는 전자에 의해 이온으로 탈착됩니다. 이온이 이온 수집기에 도달하고 처음에는 압력과 무관하지만 전자 전류의 증가에 따라 상승하는 압력 표시로 이어집니다. 표면에 발생한 전자의 수가 흡수된 기체 입자의 수에 비해 적도록 이러한 소량의 전자 전류가 사용되는 경우 모든 전자는 양이온을 탈착할 수 있습니다. 이후 전자 전류가 증가하면 더 많은 표면에 충격을 주기 때문에 탈착 상태가 초기에 증가합니다. 이 경우 표면에서 흡착 기체 입자가 감소합니다. 이 수치는 다시 낮아지고 일반적으로 작은 전자 전류에서 관찰된 압력 판독값보다 훨씬 낮을 수 있는 값에 도달합니다. 실제로 이러한 효과로 인해 압력 판독값이 탈착 전류의 영향을 받는지 여부를 확인해야 합니다. 전자 전류를 10 또는 100의 배수로 일시적으로 변경하는 것이 가장 간단한 방법입니다. 더 큰 전자 전류에 대한 판독값은 더 정밀한 압력 값입니다.
전극 구조가 일반 삼극관과 유사한 기존 이온화 게이지 외에도 다양한 이온화 진공 게이지 시스템(베이어드-알퍼트 시스템, 추출기 시스템)이 있으며, 설계에 따라 두 가지 효과를 억제하고, 그에 따라 고진공 및 초고진공 범위 측정에 사용됩니다. 오늘날 베이어드-알퍼트 시스템은 일반적인 표준 시스템입니다.
그림 3.16 다양한 이온화 진공 게이지 측정 시스템의 전극 배열 계통도.
a) 베이어드-알퍼트 이온화 진공 게이지 시스템
b) 기존 이온화 진공 게이지 시스템
c) 더 높은 압력을 위한 이온화 진공 게이지 시스템(최대 1mbar)
d) 추출기 이온화 진공 게이지 시스템
I - 이온 수집기
Sc - 스크린
M - 조절기
A - 양극
C - 음극
R - 리플렉터
a) 베이어드-알퍼트 이온화 진공 게이지(현재 사용되는 표준 측정 시스템)
가능한 큰 압력 범위에서 기체 압력과 이온 전류 사이의 선형성을 보장하려면 X선 효과가 최대한 억제되어야 합니다. 베이어드와 알퍼트가 개발한 전극 배열에서 이는 열음극이 양극 외부에 위치하고 이온 수집기는 전극 시스템의 축을 형성하는 얇은 와이어라는 사실을 통해 구현됩니다(그림 3.16 a 참조). 이온 수집기의 표면적이 크게 감소하기 때문에 X선 효과가 2~3배 감소합니다. 초고진공 범위에서 압력이 측정될 때 게이지 헤드의 내부 표면과 용기 연결부가 압력 판독값에 영향을 미칩니다. 흡착, 탈착, 해리 및 유동 현상의 다양한 효과는 이러한 맥락에서 다룰 수 없습니다. 용기에 직접 장착된 누드 게이지 시스템으로 베이어드-알퍼트 시스템을 사용함으로써 위에 언급된 효과로 인한 측정 오류를 광범위하게 방지할 수 있습니다.
b) 기존 이온화 진공 게이지
기존 설계의 삼각관(그림 3.16 b 참조)은 게이지 헤드로 사용되지만, 외부 전극이 이온 수집기 역할을 하고 그 안에 있는 그리드가 양극 역할을 하도록 약간 수정됩니다. 이러한 배열을 통해 전자는 이온화 충돌 가능성과 게이지의 감도가 상대적으로 높도록 매우 긴 행로(양극의 그리드 와이어 주위를 오감)가 강제됩니다. 삼각관 시스템은 일반적으로 강력한 X선 효과를 고려하여 높은 진공에서만 사용할 수 있기 때문에 기체 흡착(펌핑) 효과와 전극 시스템의 기체 함량은 압력 측정에 약간의 영향만 미칩니다.
c) 고압 이온화 진공 게이지(최대 1mbar)
삼각관은 다시 전극 시스템으로 사용됩니다(그림 3.16 c 참조). 하지만 이번에는 수정되지 않은 기존 설계를 사용합니다. 게이지는 최대 1mbar의 압력을 측정할 수 있도록 설계되었기 때문에 음극은 상대적으로 높은 산소 압력에 대한 저항력이 있어야 합니다. 따라서 이 제품은 일명 비 번아웃 음극으로 설계되어 있으며, 이는 이트리아 코팅 이리듐 리본으로 구성됩니다. 최대 1mbar 압력의 직선 특성(압력의 선형 함수로서의 이온 전류)을 얻으려면 양극 회로에 고저항 저항기가 장착되어 있습니다.
d) 추출기 이온화 진공 게이지
압력 측정에 영향을 미치는 파괴적 효과는 Redhead에서 최초로 제안하는 이온 광학 시스템을 통해 광범위하게 제거할 수도 있습니다. 이 추출기 시스템(그림 3.16 d 참조)을 사용하면 양극 실린더의 이온은 매우 얇고 짧은 이온 수집기에 집중됩니다. 이온 수집기는 공간, 즉, 기체 공간에서 발산되는 이온이 도달할 수 없도록 양극 전위로 유지되는 컵 모양의 전극에 의해 형성되는 후면 벽면에 설정됩니다. 시스템의 기하학적 구조와 개별 전극의 전위로 인해 X선 효과 및 이온 탈착을 통한 파괴적 영향이 조절기 없이도 거의 완전히 배제됩니다. 추출기 시스템은 10-4~10-12mbar 사이의 압력을 측정합니다. 또 다른 이점은 측정 시스템이 직경이 35mm인 누드 게이지로 설계되어 작은 장치에 설치할 수 있다는 점입니다.
회전 로터 게이지(SRG)
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그림 3.9 회전 로터 게이지(SRG)의 게이지 헤드 단면.
- 볼
- 한쪽 끝에서 폐쇄되고 연결 플랜지 7에 용접된 측정 튜브
- 영구 자석
- 안정화 코일
- 4개의 드라이브 코일
- 기포층
- 연결 플랜지
(3.2)
p = 기체 압력
r = 볼 ρ의 반경 = 볼 재료의 밀도
c- = 기체 유형에 따른 기체 입자의 평균 속도
σ = 볼의 마찰 계수, 기체 유형과 무관, 약 1.
3%의 측정 불확실성이 충분한 경우, 대개 σ = 1을 적용하여 회전하는 강철 볼이 있는 회전 로터 게이지(SRG)의 감도가 볼의 계산 가능한 물리적 크기(즉, 제품 반경 x 밀도 r · ρ)로 제공될 수 있습니다(등식 3.2 참조). 볼을 "검교정"한 후에는 "전달 표준"으로 사용하기에 적합합니다. 예를 들어, 비교를 통해 다른 진공 게이지를 검교정하기 위한 기준 장치로 사용하기에 적합하며, 장기 안정성이 높은 것이 특징입니다.
SRG를 사용하는 기체 분자 운동론의 경우 입자 수는 측정 원리를 직접적으로 나타냅니다(입자 진동이 회전하는 볼로 전달되어 속도가 느려짐).
기체 유형에 따라 다른 전기 측정 방법을 사용할 경우 입자 수 밀도는 입자(열 전도성 진공 게이지)를 통해 손실되는 열량 또는 형성된 이온 수(이온화 진공 게이지)를 통해 간접적으로 측정됩니다.
결합형 진공 게이지
위의 모든 게이지 유형에서는 측정할 수 있는 범위가 제한됩니다. 더 작은 장비를 원하는 가운데 전체 범위를 측정할 수 있도록 여러 게이지 유형을 수용할 여러 개의 포트가 있는 공간을 확보하는 것은 쉽지 않습니다. 따라서 이제 전체 범위를 측정하기 위한 결합형 게이지가 등장합니다. 일반적으로 피라니/냉음극, 피라니/열음극으로, 고진공/초고진공에서 대기를 측정합니다. 또는 피라니/피에조 게이지를 통해 측정 종료 시의 정확도를 높일 수도 있습니다.
