Lớp phủ năng lượng mặt trời

Sản xuất các tấm pin mặt trời có thể được chia thành hai công nghệ khác nhau: dựa trên wafer và màng mỏng.

Trong sản xuất pin mặt trời dựa trên wafer, bước chân không đầu tiên là sản xuất wafer silicon. Chúng được cắt ra từ các thỏi đơn tinh thể hoặc đa tinh thể, được sản xuất trong chân không trong các quy trình trồng tinh thể DSS hoặc Czochralski (để biết thêm chi tiết, xem kéo tinh thể).

Một bước chân không quan trọng khác là bước Lắng đọng hơi vật lý của lớp phủ oxit dẫn điện trong suốt (PVD TCO), được phún xạ ở mặt trước và mặt sau của lớp.  

Trong sản xuất pin mặt trời màng mỏng, có hai công nghệ chính: CIGS (Đồng, Indium, Gallium, Selenium) và CdTe (Cadmium, Tellurium). Cả hai chồng lớp hoạt động được áp dụng trong một máy phủ chân không trong một số bước quy trình. Một lần nữa, lớp phủ PVD TCO được phún xạ ở mặt trước và mặt sau của chồng lớp.

Công nghệ heterojunction (HJT) mới kết hợp các bước lắng đọng hơi hóa học (CVD) với lớp phủ tiếp xúc trước và sau PVD nổi tiếng. Các bước phủ CVD được áp dụng trên cơ sở vô định hình hoặc vi tinh thể. Trong công nghệ này, Leybold có một số lượng lớn bơm được lắp đặt trên toàn thế giới. 

Tất cả các quy trình chân không thường được thực hiện trong các máy phủ inline lớn, hoạt động với thời gian chu trình ngắn nhất. Leybold đã hỗ trợ công nghệ này ngay từ đầu và đã tích lũy được chuyên môn sâu rộng. Để bơm khóa tải nhanh, Leybold đã phát triển cụ thể hệ thống POWERBOOST. Các hệ thống bơm DRYVAC/RUVAC chuyên dụng khác đã được chứng minh là giải pháp đáng tin cậy nhất cho các ứng dụng đòi hỏi khắt khe như CIGS và CdTe và đảm bảo thời gian hoạt động nhà máy cao nhất.

HJT thậm chí còn đòi hỏi khắt khe hơn, vì quy trình này tạo ra một lượng lớn bụi và sử dụng khí doping độc hại ngoài H2. DRYVAC vượt trội ở đây, vì nó được niêm phong kín và các vật liệu bơm được chọn đặc biệt để xử lý các quy trình như vậy.