UNIVEX kaplama işlemleri
UNIVEX ince film kaplama işlemleri
UNIVEX, işlevsel fiziksel buhar dolgu kaplamalarının üretimi için çok amaçlı kaplama sistemleridir.
İnce filmlerin özellikleri, bunların üretiminde kullanılan proses teknolojisine bağlıdır. Farklı proses parametreleri ince bir filmin davranışını etkiler. UNIVEX sistemlerimizde çeşitli kaplama yöntemlerinin yanı sıra çeşitli substrat işlemleri uygulanabilir. Leybold kaplama sistemlerimiz, müşterilerin özel gereksinimlerini gerçekleştirme olanağı sunan modüler bir tasarıma dayanır.
UNIVEX kaplama proses varyasyonları
- Termal buharlaşma
- Elektron ışını buharlaşması
- Organik madde buharlaşması
- Püskürtme
- DC püskürtme
- RF püskürtme
- Reaktif sputtering
- Palslı DC püskürtme
- İyon kaynağı
- İyon destekli biriktirme
- Proses gazı girişi
- Film kalınlığı ölçümü
Termal buharlaşma
Termal buharlaşma
Termal veya dirençli buharlaştırma, ince filmlerin biriktirilmesinde en yaygın kullanılan yöntemdir. Bu teknik, UNIVEX sistemimiz gibi yüksek vakumlu bir haznede kullanılır. Tek bir termal evaporatör, tekne veya filament gibi bir kaynakla bağlı iki su soğutmalı akım geçişinden oluşur. Malzeme kaynağın içine yerleştirilir, uygulanan güç nedeniyle malzeme buharlaşana kadar sıcaklık artar.
Standart termal evaporasyon paketlerimiz, tekli veya birlikte çökeltme için uygun tekli, çiftli veya çift bağımsız konfigürasyonda gelir.
Altın, gümüş, alüminyum bakır ve diğerleri gibi çok çeşitli malzemeler termal buharlaşma teknolojisi ile biriktirilebilir.
Elektron ışını buharlaşması
Elektron ışını buharlaşması
Elektron ışını buharlaştırma, yüksek vakum ortamında kullanılan başka bir iyi bilinen buharlaştırma teknolojisidir. Buharlaştırılacak malzeme bakır bir krozenin içinde bulunur.
Enerji verilmiş bir elektron ışını bir tungsten filamandan üretilir ve manyetik alanlar tarafından krozedeki bir cebe yönlendirilir. Bu elektron ışınının enerjisi malzemeye uygulanır ve ardından buharlaştırılır veya süblime edilir.
Elektron hüzmeli tabancanın çeşitli konfigürasyonları olabilir. Farklı kapasitelere sahip tek veya çok cepli krozeler mevcuttur.
Çeşitli güç kaynakları, yüksek erime noktalarına (örneğin Mo) sahip malzemelerin buharlaştırılmasına ve hatta yüksek çökelme oranlarına sahip proseslerin uygulanmasına olanak tanır.
Organik madde buharlaşması
Organik madde buharlaşması
Organik buharlaştırıcı Knudsen hücresi olarak da bilinir. İşlevsel ince filmleri biriktirmek için hassas sıcaklık kontrolü gerektiren, düşük kısmi basınçla malzeme buharlaştırmak için kullanılan bir efüzyon evaporatörüdür.
Malzeme, örneğin kuvars veya seramikten yapılmış olabilecek bir krozeye yerleştirilir. Elektrikli ısıtma, malzemeyi buharlaşana kadar ısıtmak için kullanılır. Sıcaklık kontrolü için buharlaştırıcıda entegre bir termokupl bulunur. Bu tür bir kaynak organik malzemelerin buharlaştırılması için çok uygundur.
Püskürtme
Püskürtme
Magnetron püskürtme, buharlaşması zor veya karmaşık malzemeleri çeşitli substratlar üzerine doldurmanın son derece kullanışlı ve verimli bir yoludur.
Leybold, sputter dolgulama sistemlerimizde yüksek kaliteli, paslanmaz çelik gövde, silindirik veya dikdörtgen magnetronlar kullanır. Püskürtme basıncı kontrolü ve tekrarlanabilir prosesler için yüksek hassasiyetli, seramik diyaframlı göstergelerimizle birlikte kısma basınç kontrol valfleri öneririz.
RF püskürtme
RF püskürtme
Radyo frekansı (RF) püskürtme, özellikle oksitler veya sülfürler gibi iletken olmayan veya seramik malzemelerin püskürtülmesi için yararlıdır. İletken malzemeler için de kullanılabilir,ancak DC ile püskürtülen malzemelere kıyasla daha düşük bir kalıntı oranına sahiptir.
Genellikle RF püskürtme, daha yüksek hızda DC bazlı bir işlemle birlikte püskürtme sırasında sığ dozlama için kullanılır.
Reaktif sputtering
Reaktif sputtering
Reaktif püskürtme, elemental bir hedef malzeme ile başlayıp substrat üzerinde yeni bir malzeme oluşturmak için bir gaz eklemeyi içerir.
İlgili uygulama için uygun saflıkta oksit, nitrit ve sülfür elde etmek zor olabilir. Metalik bir hedefle başlamak ve hazne içinde reaksiyona girmek daha uygun maliyetlidir.
Palslı DC püskürtme
Palslı DC püskürtme
Pulse DC (PDC) püskürtme, izolasyon filmlerinin oluşturulduğu reaktif püskürtme işlemlerinde kullanılır. Metal hedefin reaktif gazla zehirlenmesi meydana gelebilir, bu da ark oluşumuna ve plazma stabilitesinin kaybına yol açar.
Darbeli DC, hedefe daha yüksek bağıl gücü sağlamak ve korumak için yüksek frekanslı darbelerle alternatif voltaj tersine çevirme kullanır. Hedef yüzeydeki yalıtım birikiminin temizlenmesi, daha yüksek birikim oranlarına ve daha tutarlı bir prosese yol açar.
PDC güç kaynakları tipik olarak, ark algılanması durumunda ek ters pulslar ekleyebilecek "aktif" ark bastırmaya sahiptir.
İyon kaynağı
İyon destekli biriktirme
İyon destekli biriktirme
Bir çökeltme işleminde malzeme, bir akıntıyla, iyonizasyon potansiyeliyle ve belirli bir sıcaklıkla substratın yüzeyine ulaşır. Bu faktörler, birikmiş filmin yoğunluğu, saflığı ve kristalliliği üzerinde muazzam bir etkiye sahiptir.
Bir iyon kaynağı kullanılarak, enerjik iyonlar aracılığıyla gaz fazı malzemesine ve ince filme ekstra enerji uygulanabilir.
Bu, yapışma, bileşim, iç film gerilimi ve kristallilik gibi film özelliklerini etkiler.
Film kalınlığı ölçümü
Film kalınlığı ölçümü
UNIVEX ünitelerine çeşitli ince film kalınlığı ölçüm cihazları takılabilir. Seçim, gerekli ölçümlere ve gerekli otomasyon derecesine bağlıdır. Standart olarak salınımlı kristal sistemleri kullanılır.
Bunlar kapaklı veya kapaksız bir veya birden fazla sensör kafasından oluşabilir. Sensör kafası bir monitör veya bir kontrolör tarafından çalıştırılır (ölçüm/kontrol hızı ve kalınlık).
Termal buharlaşma
Termal veya dirençli buharlaştırma, ince filmlerin biriktirilmesinde en yaygın kullanılan yöntemdir. Bu teknik, UNIVEX sistemimiz gibi yüksek vakumlu bir haznede kullanılır. Tek bir termal evaporatör, tekne veya filament gibi bir kaynakla bağlı iki su soğutmalı akım geçişinden oluşur. Malzeme kaynağın içine yerleştirilir, uygulanan güç nedeniyle malzeme buharlaşana kadar sıcaklık artar.
Standart termal evaporasyon paketlerimiz, tekli veya birlikte çökeltme için uygun tekli, çiftli veya çift bağımsız konfigürasyonda gelir.
Altın, gümüş, alüminyum bakır ve diğerleri gibi çok çeşitli malzemeler termal buharlaşma teknolojisi ile biriktirilebilir.
Elektron ışını buharlaşması
Elektron ışını buharlaştırma, yüksek vakum ortamında kullanılan başka bir iyi bilinen buharlaştırma teknolojisidir. Buharlaştırılacak malzeme bakır bir krozenin içinde bulunur.
Enerji verilmiş bir elektron ışını bir tungsten filamandan üretilir ve manyetik alanlar tarafından krozedeki bir cebe yönlendirilir. Bu elektron ışınının enerjisi malzemeye uygulanır ve ardından buharlaştırılır veya süblime edilir.
Elektron hüzmeli tabancanın çeşitli konfigürasyonları olabilir. Farklı kapasitelere sahip tek veya çok cepli krozeler mevcuttur.
Çeşitli güç kaynakları, yüksek erime noktalarına (örneğin Mo) sahip malzemelerin buharlaştırılmasına ve hatta yüksek çökelme oranlarına sahip proseslerin uygulanmasına olanak tanır.
Organik madde buharlaşması
Organik buharlaştırıcı Knudsen hücresi olarak da bilinir. İşlevsel ince filmleri biriktirmek için hassas sıcaklık kontrolü gerektiren, düşük kısmi basınçla malzeme buharlaştırmak için kullanılan bir efüzyon evaporatörüdür.
Malzeme, örneğin kuvars veya seramikten yapılmış olabilecek bir krozeye yerleştirilir. Elektrikli ısıtma, malzemeyi buharlaşana kadar ısıtmak için kullanılır. Sıcaklık kontrolü için buharlaştırıcıda entegre bir termokupl bulunur. Bu tür bir kaynak organik malzemelerin buharlaştırılması için çok uygundur.
Püskürtme
Magnetron püskürtme, buharlaşması zor veya karmaşık malzemeleri çeşitli substratlar üzerine doldurmanın son derece kullanışlı ve verimli bir yoludur.
Leybold, sputter dolgulama sistemlerimizde yüksek kaliteli, paslanmaz çelik gövde, silindirik veya dikdörtgen magnetronlar kullanır. Püskürtme basıncı kontrolü ve tekrarlanabilir prosesler için yüksek hassasiyetli, seramik diyaframlı göstergelerimizle birlikte kısma basınç kontrol valfleri öneririz.
RF püskürtme
Radyo frekansı (RF) püskürtme, özellikle oksitler veya sülfürler gibi iletken olmayan veya seramik malzemelerin püskürtülmesi için yararlıdır. İletken malzemeler için de kullanılabilir,ancak DC ile püskürtülen malzemelere kıyasla daha düşük bir kalıntı oranına sahiptir.
Genellikle RF püskürtme, daha yüksek hızda DC bazlı bir işlemle birlikte püskürtme sırasında sığ dozlama için kullanılır.
Reaktif sputtering
Reaktif püskürtme, elemental bir hedef malzeme ile başlayıp substrat üzerinde yeni bir malzeme oluşturmak için bir gaz eklemeyi içerir.
İlgili uygulama için uygun saflıkta oksit, nitrit ve sülfür elde etmek zor olabilir. Metalik bir hedefle başlamak ve hazne içinde reaksiyona girmek daha uygun maliyetlidir.
Palslı DC püskürtme
Pulse DC (PDC) püskürtme, izolasyon filmlerinin oluşturulduğu reaktif püskürtme işlemlerinde kullanılır. Metal hedefin reaktif gazla zehirlenmesi meydana gelebilir, bu da ark oluşumuna ve plazma stabilitesinin kaybına yol açar.
Darbeli DC, hedefe daha yüksek bağıl gücü sağlamak ve korumak için yüksek frekanslı darbelerle alternatif voltaj tersine çevirme kullanır. Hedef yüzeydeki yalıtım birikiminin temizlenmesi, daha yüksek birikim oranlarına ve daha tutarlı bir prosese yol açar.
PDC güç kaynakları tipik olarak, ark algılanması durumunda ek ters pulslar ekleyebilecek "aktif" ark bastırmaya sahiptir.
İyon destekli biriktirme
Bir çökeltme işleminde malzeme, bir akıntıyla, iyonizasyon potansiyeliyle ve belirli bir sıcaklıkla substratın yüzeyine ulaşır. Bu faktörler, birikmiş filmin yoğunluğu, saflığı ve kristalliliği üzerinde muazzam bir etkiye sahiptir.
Bir iyon kaynağı kullanılarak, enerjik iyonlar aracılığıyla gaz fazı malzemesine ve ince filme ekstra enerji uygulanabilir.
Bu, yapışma, bileşim, iç film gerilimi ve kristallilik gibi film özelliklerini etkiler.
Film kalınlığı ölçümü
UNIVEX ünitelerine çeşitli ince film kalınlığı ölçüm cihazları takılabilir. Seçim, gerekli ölçümlere ve gerekli otomasyon derecesine bağlıdır. Standart olarak salınımlı kristal sistemleri kullanılır.
Bunlar kapaklı veya kapaksız bir veya birden fazla sensör kafasından oluşabilir. Sensör kafası bir monitör veya bir kontrolör tarafından çalıştırılır (ölçüm/kontrol hızı ve kalınlık).
İlave UNIVEX kaplama işlemleri
- Zemin hazırlığı
- Alt tabaka dönüşü
- Zemin ısıtması
- Substrat soğutma
- Substrat sapması
- Planet dişlisi
- Yüksekliği ayarlanabilir
- Zemin eğimi
- Kaydırma açısı dolgusu
- Eğimli panjurlar
- Soğuk tutucu
- Yükleme kilidi
Zemin hazırlığı
Zemin hazırlığı
Biriktirme işlemi sırasında film özelliklerini iyileştirmek veya değiştirmek için çeşitli substrat işleme ve manipülasyon yöntemleri uygulanabilir.
Alt tabaka dönüşü
Alt tabaka dönüşü
Döndürme, substrat yüzeyi boyunca ince film homojenliğini iyileştirmek için kullanılır. Planet tahrikler de dahil olmak üzere tek veya çoklu substratlar için çok çeşitli olası çözümler sunuyoruz.
Diğer substrat işleme özellikleriyle tipik kombinasyonlar şunlardır:
- Isıtma, soğutma
- RF/DC bias
- Yükseklik ayarlanabilirliği (kaynaktan substrata)
- Eğme
- Kayma açısı dolgusu (GLAD)
- Eğimli panjurlar
Substrat soğutma
Substrat soğutma
Isıya duyarlı substratlar veya maskeler biriktirme sırasında soğumaya ihtiyaç duyar. Su soğutmalı, LN2 soğutmalı veya özel soğutma sıvılarıyla kullanılabilen substrat tutucular sunuyoruz.
Substrat sapması
Substrat sapması
RF veya DC polarizasyonu ile desteklenen biriktirme, ince filmin yapışma özelliklerini ve stokiyometrisini iyileştirir. Bunun için uygun substrat tutucuları ve güç kaynakları mevcuttur.
Planet dişlisi
Planet dişlisi
Planet tahriklerimiz, müşterilerin özel substratları ve proses gereksinimleri için tasarlanmıştır.
Ana substrat aşamasının merkezi bir dönme ekseni vardır. Bu eksenin etrafında birden fazla dönen planet dişli düzenlenmiştir. Bir gezegenin belirli konumu merkez ekseni üzerinde dönerken her zaman farklıdır. Bu planet düzeni filmin homojenliğini iyileştirir.
Yüksekliği ayarlanabilir
Yükseklik ayarlanabilirliği (kaynaktan substrata)
Kaynaktan substrat mesafesi farklı uygulamalar için önemli bir faktördür. İnce film özelliği üzerinde önemli bir etkisi vardır. Kaynaktan substrata olan mesafenin arttırılması, substrat üzerindeki geliş açısını etkiler. Malzeme akışı ile substrat yüzeyi arasındaki dik açı, ince bir filmin özelliğini optimize eder.
Uygulamaya bağlı olarak farklı modüler bileşenler mevcuttur.
Zemin eğimi
Zemin eğimi
Substratın eğilmesi farklı uygulamalar için kullanılır. Leybold, manuel ve otomatik olarak eğilebilen substrat kademeleri sağlayabilir.
Kaydırma açısı dolgusu
Kaydırma açısı dolgusu
Doldurma sırasında substrat eğilerek substrat üzerinde ilginç yapılar/desenler (3D) oluşturulabilir. Bu teknik Glancing Angle Deposition (GLAD) olarak adlandırılır.
Substrat döndürme, eğme, ısıtma ve soğutma mümkündür. Bu teknik, örneğin termal, elektron ışını buharlaştırıcısı veya sputter kaynağı ile kullanılabilir.
Eğimli panjurlar
Eğimli panjurlar
Gradyan deklanşör kadememizle, farklı kalınlıklara ve malzeme özelliklerine sahip birden fazla örnek oluşturulabilir.
Yükleme kilidi
Yükleme kilidi
Kilit haznesi, substratların yüksek vakum sistemlerine yerleştirilmesi için çok hızlı bir yöntemdir. Her yük kilidi haznesinin kendi pompa sistemi vardır ve bir sürgülü valf aracılığıyla proses haznesine bağlıdır.
Yük kilidi haznesinin içinde bir veya birden fazla substrat depolanabilir ve proses haznesinin içinde taşınabilir. İşlem haznesinin sadece malzeme eklemek veya temizlemek için havalandırılması gerekir. Substratların ayrı ayrı vakum hazneleri arasında taşınması için yaygın olarak motor tahrikli robot kolları veya doğrusal transfer tahrik üniteleri kullanılır.
İşlem tamamlandıktan sonra transfer kolu, substratı yük kilidi haznesindeki yerine geri döndürür. Yeni bir substrat zaten bir kaplama prosesindeyken çıkarılabilir veya hatta vakumlu bir ortamda saklanabilir.
Yük kilidinin avantajı, proses modülünün atmosferik kirlenmesini önlerken işleme sürelerinin kısaltılmasıdır. Türü veya boyutu ne olursa olsun herhangi bir UNIVEX sistemine bir yük kilidi haznesi eklenebilir.
Zemin hazırlığı
Biriktirme işlemi sırasında film özelliklerini iyileştirmek veya değiştirmek için çeşitli substrat işleme ve manipülasyon yöntemleri uygulanabilir.
Alt tabaka dönüşü
Döndürme, substrat yüzeyi boyunca ince film homojenliğini iyileştirmek için kullanılır. Planet tahrikler de dahil olmak üzere tek veya çoklu substratlar için çok çeşitli olası çözümler sunuyoruz.
Diğer substrat işleme özellikleriyle tipik kombinasyonlar şunlardır:
- Isıtma, soğutma
- RF/DC bias
- Yükseklik ayarlanabilirliği (kaynaktan substrata)
- Eğme
- Kayma açısı dolgusu (GLAD)
- Eğimli panjurlar
Substrat soğutma
Isıya duyarlı substratlar veya maskeler biriktirme sırasında soğumaya ihtiyaç duyar. Su soğutmalı, LN2 soğutmalı veya özel soğutma sıvılarıyla kullanılabilen substrat tutucular sunuyoruz.
Substrat sapması
RF veya DC polarizasyonu ile desteklenen biriktirme, ince filmin yapışma özelliklerini ve stokiyometrisini iyileştirir. Bunun için uygun substrat tutucuları ve güç kaynakları mevcuttur.
Planet dişlisi
Planet tahriklerimiz, müşterilerin özel substratları ve proses gereksinimleri için tasarlanmıştır.
Ana substrat aşamasının merkezi bir dönme ekseni vardır. Bu eksenin etrafında birden fazla dönen planet dişli düzenlenmiştir. Bir gezegenin belirli konumu merkez ekseni üzerinde dönerken her zaman farklıdır. Bu planet düzeni filmin homojenliğini iyileştirir.
Yükseklik ayarlanabilirliği (kaynaktan substrata)
Kaynaktan substrat mesafesi farklı uygulamalar için önemli bir faktördür. İnce film özelliği üzerinde önemli bir etkisi vardır. Kaynaktan substrata olan mesafenin arttırılması, substrat üzerindeki geliş açısını etkiler. Malzeme akışı ile substrat yüzeyi arasındaki dik açı, ince bir filmin özelliğini optimize eder.
Uygulamaya bağlı olarak farklı modüler bileşenler mevcuttur.
Zemin eğimi
Substratın eğilmesi farklı uygulamalar için kullanılır. Leybold, manuel ve otomatik olarak eğilebilen substrat kademeleri sağlayabilir.
Kaydırma açısı dolgusu
Doldurma sırasında substrat eğilerek substrat üzerinde ilginç yapılar/desenler (3D) oluşturulabilir. Bu teknik Glancing Angle Deposition (GLAD) olarak adlandırılır.
Substrat döndürme, eğme, ısıtma ve soğutma mümkündür. Bu teknik, örneğin termal, elektron ışını buharlaştırıcısı veya sputter kaynağı ile kullanılabilir.
Eğimli panjurlar
Gradyan deklanşör kadememizle, farklı kalınlıklara ve malzeme özelliklerine sahip birden fazla örnek oluşturulabilir.
Yükleme kilidi
Kilit haznesi, substratların yüksek vakum sistemlerine yerleştirilmesi için çok hızlı bir yöntemdir. Her yük kilidi haznesinin kendi pompa sistemi vardır ve bir sürgülü valf aracılığıyla proses haznesine bağlıdır.
Yük kilidi haznesinin içinde bir veya birden fazla substrat depolanabilir ve proses haznesinin içinde taşınabilir. İşlem haznesinin sadece malzeme eklemek veya temizlemek için havalandırılması gerekir. Substratların ayrı ayrı vakum hazneleri arasında taşınması için yaygın olarak motor tahrikli robot kolları veya doğrusal transfer tahrik üniteleri kullanılır.
İşlem tamamlandıktan sonra transfer kolu, substratı yük kilidi haznesindeki yerine geri döndürür. Yeni bir substrat zaten bir kaplama prosesindeyken çıkarılabilir veya hatta vakumlu bir ortamda saklanabilir.
Yük kilidinin avantajı, proses modülünün atmosferik kirlenmesini önlerken işleme sürelerinin kısaltılmasıdır. Türü veya boyutu ne olursa olsun herhangi bir UNIVEX sistemine bir yük kilidi haznesi eklenebilir.
- Ürünler
- Online alışveriş
- Uygulamalar
- Belgeler
